美國國家半導體公司（National Semiconductor Corporation）宣布推出一款業(yè)界最低噪聲的全新超高速運算放大器。這款型號為LMH6629的PowerWise芯片在10倍增益及900MHz -3dB帶寬操作時，其噪聲低至0.69nV/sqrt Hz。 這款芯片將高帶寬、大增益以及精準的信號放大性能等多種優(yōu)勢集為一體，特別，適合于對要求噪聲減至最低的系統(tǒng)16位的通信系統(tǒng)、測試和測量設備、醫(yī)療成像系統(tǒng)、工業(yè)設備及激光測速系統(tǒng)等等。

　　LMH6629芯片的輸入電流噪聲也極低（只有2.6pA/sqrt Hz），在輸入頻率為 1MHz時，第2及第3諧波失真分別只有 -90dBc 及 -94dBc。 這款運算放大器不但具備低輸入噪聲、低失真及高速的優(yōu)點，而且直流電誤差極低，在攝氏25度時的最高輸入偏移電壓只有780uV，輸入偏移電壓漂移溫度系數(shù)（TCVos）則低至每度（攝氏）只有+/-0.45uV，從而確保交流及直流耦合系統(tǒng)信號的準確無誤。

　　LMH6629芯片的輸入共模電壓范圍在接地電壓以下，而輸出電壓擺幅不超過 +/-0.8V，線性輸出電流則高達 +/-250mA 以上。 這款PowerWise運算放大器適用于 2.7V至5.5V之間的供電電壓范圍，耗電只有15.5mA。 由于這款芯片設有內(nèi)部補償這個功能，因此系統(tǒng)無需加設外部補償電路，用戶也無需為此花費額外的設計時間，在這兩方面都優(yōu)于其他放大器。 系統(tǒng)設計工程師只要將最低增益選擇引腳拉上或拉下，便將LMH6629芯片的最低增益設置為 4 或 10。

　　LMH6629芯片采用美國國家半導體全新CBiCMOS8硅鍺（SiGe）互補雙極CMOS工藝技術制造。CBiCMOS8是目前業(yè)界最先進的模擬工藝技術，其獨特之處是將硅鍺NPN及PNP晶體管集成在單芯片之內(nèi)，另外還集成了低功率CMOS晶體管，使這款芯片無論在速度、線性特性、電路密度、功率及噪聲等方面都具備卓越表現(xiàn)，從而滿足高速模擬系統(tǒng)的嚴格要求。